Seagate уже работает над технологией записи HAMR второго поколения — она позволит создать HDD объёмом 30 Тбайт

Компания Seagate Technology уже давно продвигает технологию магнитной записи с подогревом (HAMR), которая подразумевает кратковременный нагрев участка магнитной пластины перед записью информации. Она даже наладила поставки образцов соответствующих жёстких дисков партиями в несколько тысяч штук, но широкое распространение подобная технология должна получить только после перехода на второе поколение.

В этом можно убедиться, как поясняет сайт Tom’s Hardware, изучив стенограмму выступления финансового директора Seagate на технологической конференции Citi Global. Джанлука Романо (Gianluca Romano) на этом мероприятии напомнил, что компания поставляет жёсткие диски объёмом 20 Тбайт, использующие первое поколение технологии HAMR, с декабря прошлого года. Seagate старается предлагать их в количествах, достаточных для ознакомления с новым типом продукции со стороны клиентов. По словам представителя компании, сейчас Seagate разрабатывает жёсткие диски с технологией HAMR второго поколения, которая позволит создавать накопители объёмом 30 Тбайт. Именно изделия этого поколения станут по-настоящему массовыми, как отметил финансовый директор Seagate.

Поскольку сроки появления таких накопителей названы не были, остаётся ориентироваться на ранние упоминания Seagate об основных вехах развития технологий магнитной записи в этом десятилетии. К середине 2025 года компания планировала представить жёсткие диски объёмом 50 Тбайт, сейчас у неё есть накопители объёмом 20 Тбайт, поэтому рубеж в 30 Тбайт компания должна покорить где-то до конца 2023 года. К концу десятилетия Seagate поставила задачу увеличить объём жёстких дисков до 100 Тбайт. Плотность записи информации для этого придётся увеличить в пять с лишним раз. Предполагается, что разработка подходящих магнитных пластин станет основным сдерживающим фактором на пути к этой цели. Характерно, что имеющиеся накопители Seagate объёмом 18 Тбайт полагаются на более традиционные технологии перпендикулярной и двухмерной магнитной записи соответственно.

Источник: 3dnews

Накопители Просмотров: 503254

Другие новости

Китайский SSD-накопитель Asgard AN4 под PCIe 4.0 разогнался до 7500 Мбайт/с

Китайский производитель оперативной памяти и накопителей Asgard анонсировал свой первый SSD-диск под интерфейс PCIe 4.0. По скорости работы модель с индексом AN4 с лёгкостью может потягаться с лучшими предложениями на рынке. Накопитель Asgard AN4 работает на базе контроллера Innogrit IG5236 Rainier

Redmi 10 получит 50-мегапиксельный сенсор Samsung

Бренд Redmi готовит новый смартфон Redmi 10, который уже прошёл сертификацию Федеральной комиссии по связи США (FCC). Как сообщается, у него есть вариации 4/64, 4/128 и 6/128 ГБ памяти. В качестве процессора используется чипсет от MediaTek. Новинка получит фирменную оболочку MIUI 12.5 на базе операционно

Microsoft представила облачный персональный компьютер

Microsoft представила облачный персональный компьютер и назвала этот сервис Windows 365 (не путать с Microsoft 365 или Office 365). Идея в том, что можно арендовать виртуальный компьютер нужной производительности и работать на нем из любой точки планеты, где есть интернет. И фактически с какого угодн

Microsoft заблокирует установку Windows 11 на неподдерживаемые ПК

Компания Microsoft на релизе заблокирует возможность установки Windows 11 на те компьютеры и ноутбуки, которые не подходят по требованиям ОС. Эта возможность есть в бета-версии, но после релиза разработчики закроют эту возможность. В компании заявили, что выступают категорически против лазеек и методо

Опубликованы рендеры смартфона OnePlus Nord 2

Инсайдер Стив Хеммерстоффер, известный под ником , опубликовал свежие рендеры смартфона OnePlus Nord 2. Новинка, как утверждается, получит дисплей FHD+ с матрицей AMOLED и диагональю 6,43 дюйма. Внутри установлен сканер отпечатка. Обещана фронтальная камера на 32 МП, основная — 50 + 8 + 2 МП. Внутр

Инсайдер раскрыл спецификации Snapdragon 898

Китайский сетевой инсайдер Digital Chat Station опубликовал свежие данные о будущем процессоре Qualcomm Snapdragon 898, который появится в смартфонах Xiaomi 12 и Samsung Galaxy S22. Судя по его информации, это 4-нанометровый чип, который производится Samsung. Он получит трёхкластерную схему компоновк